SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ:マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応(1/4 ページ) 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3~4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。 産革機構も出資 システムLSIの設計が大きく変わるかもしれない。 不揮発性メモリIPを手掛ける新興企業 フローディアは、システムLSIの任意の位置に配置できる混載フラッシュメモリ技術「LEE Flash-G2」を開発した。2016年末にも同技術を用いた90nmプロセスによるシステムLSIの量産が始まる見込み。順次、55nmプロセスなどファウンドリ各社の微細プロセスへの対応を進め、LSI設計者にとって使いやすい不揮発性メモリとして幅広い普及を狙う。 プログラムやロ
「Flash Memory Summit(FMS)2013」(2013年8月13~15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)の会期初日の基調講演のトップバッターを務めたのは、米Facebook社でサーバー機などのクラウド・インフラ戦略を担当するJason Taylor氏(同社 Director, Infrastructure)である。同氏は「Flash at Facebook:The Current State and Future Potential」と題して、同社のデータセンターにおけるNANDフラッシュ・メモリ(以下、NAND)の活用状況を紹介した。 Taylor氏によれば、Facebook社はサーバー機に対して膨大な投資を行っており、2012年のサーバー機関連の投資額は12億4000万米ドルに達した。同社はデータベース用やインデックス・サーバー用などの用途ごとに異なる構成
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