MIT、シリコンに代わるトランジスタ技術を発表へマサチューセッツ工科大学（MIT）のエンジニアらは今週、iPodや携帯電話を超える小型電子デバイスの新たな開発につながると期待されるトランジスタ技術の研究結果を公表する計画だ。 MITのエンジニアらは、iPod、携帯電話、家電製品などの小型デバイスに不可欠なシリコントランジスタは、サイズとパフォーマンスの面で今後10〜15年以内に壁に突き当たる、との予測を示している。そこで同校などでは、シリコンの伝導速度を確実に上回ることが期待される新しい複合材料の研究が進められている。 InGaAs（インジウムガリウムヒ砒素）はこのような素材の1つで、電子の移動速度がシリコンの数倍に達する。MITのMicrosystems Technology Laboratories（MTL）は先ごろ、最新シリコンデバイスの2.5倍の電流が流れるInGaAs製トランジスタのデモを行っている。このトランジスタの長さは、
