IBMなど3社、フラッシュより500倍高速な不揮発性メモリ開発 | スラドNIKKEI NETにフラッシュメモリーと比べ、書き込み・読み出し速度が500倍、消費電力が半分という半導体をIBMが開発という短い記事が掲載されていたのでちょいと調べてみたら、ITmediaのIBM、Macronix、Qimonda、相変化メモリ技術で成果という記事に該当するようだ。要は、IBM等が新しい不揮発性メモリ技術として注目される相変化メモリのプロトタイプ設計、製造に成功したとのことである。 相変化メモリは、記録素子に相変化物質GeSbを素材とした膜を用い、膜の一部を電気抵抗力の低い結晶状態にするか、電気抵抗力の高いアモルファス状態にするかで情報を記録するとのこと。性能は前述の通りで、しかも断面積は3×20ナノメートルと、フラッシュメモリよりもかなり小さいらしい。
