加速器を用いた「省電力次世代EUV露光技術」開発へ
高エネルギー加速器研究機構（KEK）は、エネルギー回収型線形加速器（ERL）と自由電子レーザー（FEL）を組み合わせた「次世代EUV（極端紫外線）露光技術」の開発を始めた。既存のEUV光源に比べ消費電力を10分の1に低減でき、「beyond EUV」と呼ばれる短波長化も比較的容易だという。 2029年度までにプロトタイプ機の建設を始め、10～13年後に事業化へ 高エネルギー加速器研究機構（KEK）は2025年5月、エネルギー回収型線形加速器（ERL）と自由電子レーザー（FEL）を組み合わせた「次世代EUV（極端紫外線）露光技術」の開発を始めたと発表した。既存のEUV光源に比べ消費電力を10分の1に低減でき、「beyond EUV」と呼ばれる短波長化も比較的容易だという。 KEKは、内閣府が進める「経済安全保障重要技術育成プログラム（通称：K Program）」に対し、「革新的な次世代EUV
応答速度･集積密度はMRAMの100倍､次世代メモリー有望候補｢交替磁性体｣実用化への現在地 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
第三の磁性体「交替磁性体」が次世代メモリーの有望候補として注目されている。磁気抵抗メモリー（ＭＲＡＭ）に比べて応答速度や集積密度が１００倍になると期待される。交替磁性体は日本で理論が提唱され、実際に室温で機能する物質が見つかった。メモリー開発にはＭＲＡＭの知見を生かせる。ＭＲＡＭ自体も日本がけん引してきた分野だ。実用化に向け最短距離を走る準備は整っている。負けられない戦いが始まる。（小寺貴之） 「温泉で湧いている黄色いもそもそが原料になるかもしれませんね」―。東京大学の関真一郎教授は困った顔で笑う。記者会見での１コマだ。硫化鉄が室温で読み書き可能な交替磁性体になることを実証した。鉄も硫黄も埋蔵量が多く資源リスクが小さい。マンガン・テルルなどの物質が探索されてきたが、答えはありふれた元素の組み合わせだった。 交替磁性体は物質全体の磁化はゼロにもかかわらず仮想的な磁場を持つ。硫化鉄の場合は、鉄
国産2nm半導体の生産を目指す日本の半導体メーカー・RapidusがASMLの量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」の設置作業を開始
日本の半導体メーカーであるRapidusが、オランダの半導体露光装置メーカー・ASMLの量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」を北海道千歳市の新工場に搬入し、設置作業を開始したと発表しました。2022年に設立されたRapidusは国産2nm半導体の製造を目指しており、日本政府や大手企業から多額の出資を受けています。 Rapidus、日本で初めて量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」のIIMへの設置作業を開始 - Rapidus株式会社 https://www.rapidus.inc/news_topics/news-info/rapidus%E3%80%81%E6%97%A5%E6%9C%AC%E3%81%A7%E5%88%9D%E3%82%81%E3%81%A6%E9%87%8F%E7%94%A3%E5%AF%BE%E5%BF%9Ceuv%E9%9C%B2%E5%85%89%
日本企業の反対で中国最大のDRAMメーカー「CXMT」がアメリカのブラックリストから除外されたとの報道
アメリカ商務省の産業安全保障局(BIS)は2024年12月2日に、半導体開発に不可欠な24種類のチップ製造装置と3つのカテゴリーのソフトウェアについて、中国に対する輸出禁止措置を課しました。さらに、140社の中国企業をアメリカ政府の承認なしにアメリカの技術を含む製品やツールにアクセスすることを禁じる「ブラックリスト」に追加しました。しかし、このブラックリストには中国のDRAM製造大手「CXMT」などが含まれておらず、その裏には日本による圧力があったとみられています。 Chip war: US exempts some Chinese firms from curbs in concession to Japan, sources say | South China Morning Post https://www.scmp.com/tech/tech-war/article/3289594
韓国が超純水技術「国産化」、日本の輸出規制強化きっかけに半導体競争力向上
韓国環境部（部は日本の省に相当）傘下の韓国水資源公社とSK Hynix（SKハイニックス）は2024年10月11日、半導体製造に不可欠な超純水技術の自立性確保と水産業育成のために、「SK Hynix用水供給施設運営・管理・統合水供給基本協約」を締結した（図1）。 この協約は、SK Hynixの半導体工場に超純水を始めとして公共用水を安定的に提供することで、韓国の半導体産業のグローバル競争力を高めるのが狙いである。SK Hynixは2025年から韓国の技術によって生産した超純水を使用する。 半導体生産工程で最も重要なインフラといえるのが、水と電気である。ナノ（nm）メートル単位の超微細加工においてウェーハを洗浄するために使う超純水は、水素と酸素だけを残して無機質とバクテリアをすべて除去した有機物0.01ppm以下の水である。超純水は、半導体のエッチング工程後、ウェーハを削って不純物を除去した
OIST、消費電力従来比1/10以下のEUVリソグラフィー半導体製造技術を提案
沖縄科学技術大学院大学(OIST)は7月29日、小型のEUV光源でも動作し、消費電力が従来の10分の1以下にまで減らせる、これまでの先端半導体製造の常識を覆す「EUV(極端紫外線)リソグラフィー」技術を提案したことを発表した。 同成果は、OIST 量子波光学顕微鏡ユニットの新竹積教授によるもの。査読前プレプリントが「arXiv」に掲載されている。 従来型(左)と、今回発表された新型EUVリソグラフィー(右)。従来型に比べて非常にシンプルな設計とすることで、高い安定性とメンテナンス性、高いコントラスト、マスク3D効果の減少などさまざまな利点が生まれた。また、わずか20Wの小型EUV光源で動作するため、消費電力がおよ1MWの従来技術に比べ、消費電力が100kW以下と10分の1となるという(c) 新竹積(OIST)(出所:OIST Webサイト) 現代社会を支える要素の1つである先端半導体は、極
ＡＳＭＬの最先端半導体製造装置、高過ぎる－ＴＳＭＣの購入時期不明
オランダの半導体製造装置メーカー、ＡＳＭＬホールディングの最先端機器は極めて高額との認識を、同社最大級の顧客企業である台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が14日示した。 アムステルダムで開催されたテクノロジーシンポジウムに参加したＴＳＭＣのケビン・チャン上級副社長はＡＳＭＬの高ＮＡ（開口数）極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置について、「非常に高い」と指摘し、「高ＮＡ・ＥＵＶの能力は気に入っているが、販売価格は好ましくない」と述べた。このマシンは１台３億5000万ユーロ（約590億円）。 ＡＳＭＬは最も高度な半導体を製造するために必要な装置を製造する唯一の企業で、同社の製品に対する需要は業界の健全性を示す指標となっている。 米インテルはすでに高ＮＡ・ＥＵＶ露光装置をＡＳＭＬに発注。同社は昨年12月下旬、オレゴン州にあるインテル工場向けに最初の１台を出荷した。しかし、半導体の受託生産で世界最大手のＴＳＭＣ
米政府、ＡＳＭＬに一部製品の対中出荷停止迫る－１月の期限前に
米政府、ＡＳＭＬに一部製品の対中出荷停止迫る－１月の期限前に Cagan Koc、Jennifer Jacobs オランダ半導体製造装置メーカー、ＡＳＭＬホールディングは、高性能の半導体製造装置の輸出禁止措置が発動される数週間前に、バイデン米政権からの要請を受け、一部装置の中国向け出荷を取りやめた。事情に詳しい複数の関係者が明らかにした。 ＡＳＭＬはオランダの新しい規制が完全に発効する１月まで、３種類の先端深紫外（ＤＵＶ）露光装置を中国企業に出荷するライセンスを持っていた。しかし、米当局がＡＳＭＬに接触し、中国顧客への一部装置の出荷を直ちに停止するよう要請したという。関係者は部外秘情報だとして匿名を条件に話した。 バイデン政権は独自の先端半導体産業の創出を目指す中国政府の取り組みを抑制すべく、同盟国と共に中国による輸入技術へのアクセスを妨げている。中国の華為技術（ファーウェイ）は昨年、ＡＳ
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか：当面はASMLの独走状態との予測も（1/2 ページ） キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。 アナリストが米国EE Timesに語ったところによると、キヤノンが発売したナノインプリントリソグラフィ（NIL）半導体製造装置は、ASMLが世界最先端の半導体製造に向けてほぼ独占的に提供しているEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置に肩を並べるようになるまでには、何年もかかる見込みだという。 キヤノンは2023年10月、回路パターンが刻み込まれたマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成するNIL技術を用いた半導体製造装置「FPA-
中国が粒子加速器をEUV光源として活用する計画を立ち上げか？ 香港メディア報道
中国が粒子加速器を活用した巨大な半導体工場の建設を計画していると、香港の英字新聞「South China Morning Post」が報じている。 それによると、中国の科学者らは、米国が音頭を取る対中半導体規制に対抗するため、EUVリソグラフィの光源となる巨大な粒子加速器を半導体工場内に設置することを検討しているという。具体的には、中国トップクラスの大学である清華大学の研究チームが河北省の雄安新区地方政府と粒子加速器による巨大半導体チップ工場建設用地の選定に向け活発な話し合いを進めているとのことで、1台の巨大な粒子加速器の周囲に複数のEUV露光装置を配置した工場を建設することにより、先端半導体チップの国産化、ならびに大量生産を実現しようという取り組みのようである。 研究チームが進めているのは定常状態マイクロバンチング(SSMB=Steady-state microbunching)と呼ばれ
CPU革命！ 裏面電源供給技術PowerViaのテスト実装に成功 インテル CPUロードマップ (1/3)
6月11日から京都で開催されていた2023 Symposium on VLSI Technology and Circuitにおいて、インテルは基板裏面から電源を供給する配線方式「PowerVia」関連の内容を2つ発表した。 1つはT1-1の“E-Core implementation in Intel 4 with PowerVia(Backside Power) Technology”、もう1つがT6-1の“Intel PowerVia Technology: Backside Power Delivery for High Density and High-Performance Computing”である。どちらも似てはいるのだが、後者がPowerVia全体の発表で、前者はこれをIntel 4プロセスに移植した上で、E-coreに実装してみた結果を示したものである。 実はこの件に関
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【福田昭のセミコン業界最前線】 キオクシアとSK hynixが共同で64Gbitの大容量クロスポイントMRAMを試作
ASML製の最新EUV露光装置がIntelに到着。開封の儀を公開
「先端半導体にはEUV露光装置」に待った、キヤノンのナノインプリントの実力
パワー半導体の注目材料「SiC」でシリコンの牙城「LSI」に挑む（ニュースイッチ） - Yahoo!ニュース
TOPPANHD、2ナノ半導体の回路原版 米IBMと共同開発 - 日本経済新聞
Intel、台湾UMCと12nmプロセス製造で協力
【福田昭のセミコン業界最前線】 2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
Intel、EUV採用「Intel 4」プロセスの量産開始
【大原雄介の半導体業界こぼれ話】 謎の半導体企業「Silicon Box」
