エルピーダ、HKMGを採用した2GビットDDR2 Mobile RAMを開発 | エンタープライズ | マイコミジャーナル

エルピーダメモリは6月15日、40nmプロセスクラスのDRAMとして高誘電率絶縁膜/金属ゲート電極(HKMG:High-K/Metal Gate)技術を採用した2GビットDDR2 Mobile RAM(LPDDR2)を開発したことを発表した。 HKMGは、トランジスタのゲート絶縁膜を従来のSiO2やSiNから、高誘電率の絶縁材料(High-K材料)に変更することで、リーク電流の抑制とトランジスタの高性能化を図る技術。その際、従来の多結晶シリコンゲート電極のままだと、ゲート電極の空乏化と呼ばれる現象が生じるため、ゲート電極に金属材料を用いたものへと変更(メタルゲート:Metal Gate)する必要がある。 すでにHigh-Kやメタルゲートといった技術はロジック半導体分野ではIntelやTSMC、ルネサス エレクトロニクスなどが採用しているが、シリコン以外の材料を用いるため、製造工程での熱処理