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世界初!窒化ガリウムHEMTを用いた小型・高出力な10GHz帯送受信1チップ集積回路を開発 : 富士通
English PRESS RELEASE (技術) 2012年6月20日 株式会社富士通研究所 世界初!窒化ガリウムHEMTを用い... English PRESS RELEASE (技術) 2012年6月20日 株式会社富士通研究所 世界初!窒化ガリウムHEMTを用いた小型・高出力な10GHz帯送受信1チップ集積回路を開発 従来比1/10以下の小型化を実現し、レーダー機器やワイヤレス通信機器の小型化に貢献 株式会社富士通研究所(注1)は、窒化ガリウム(GaN)(注2)高電子移動度トランジスタ(HEMT)(注3)を用いて、10ギガヘルツ(以下、GHz)帯で、6.3ワット(以下、W)出力の送受信1チップ集積回路を世界で初めて開発しました。 従来、高出力な送信信号と微弱な受信信号を1チップ上で同時に扱う場合には、送受信号を効率よく切り替えることと、送信信号が受信信号に与える影響を低減することが必要となりますが、これらを両立することが技術的に困難でした。 今回、GaN-HEMTを用いた低損失な送受切替器を開発し、また、送受信間の信
2012/06/20 リンク