いよいよSiCの時代へ、業界初の「フルSiCパワーモジュール」が量産

いよいよSiCの時代へ、業界初の「フルSiCパワーモジュール」が量産：パワー半導体 SiCデバイス ロームは、パワーモジュールを構成するパワーMOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD）に全てSiC材料を採用した品種の量産を開始する。独自の信頼性向上技術を開発することで量産体制を確立した。 ロームは、内蔵する全てのパワー半導体素子の材料にSiC（シリコンカーバイド）を採用した「フルSiCパワーモジュール」の量産を開始すると発表した。「フルSiCパワーモジュールの量産は業界初」（同社）という。 今回量産を開始する品種の定格電圧は1200V、定格電流は100A。外形寸法は122×46×17mmである（端子を含まない）。既存のSi（シリコン）製IGBTモジュールを採用する場合に比べてスイッチング損失を85％削減した他、定格電流400AのSiのIGBTモジュールに比べて体積を50％に抑えら

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