メモリ編：次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目

メモリ編：次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目：徹底プレビュー「ISSCC2015の歩き方」（11）（1/3 ページ） 今回は、大容量化と高速化が進む半導体メモリに焦点を当てる。メモリ市場の二大勢力となっているDRAMとNANDフラッシュメモリについての講演が多い。15nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリや、車載マイコン向けフラッシュメモリ技術、次世代のDRAMインタフェースなどに関する発表がある。 DRAMとNANDフラッシュが半導体メモリの主役 半導体メモリの性能を決めるのは、記憶容量やアクセス時間、データ転送速度、消費電力などである。特に重要なのは記憶容量とデータ転送速度で、大容量化と高速化がメモリ開発の二大トレンドであることからも、いかに大切かが分かる。 もっとも、市場ではコスト、すなわち販売価格が何よりも重視される。半導体メモリの製造コストはおおむねシリコン