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8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10~12日、ドイツ・ニ... パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10~12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。 GaNパワーデバイスの専業メーカーであるフランスのExaganは、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10~12日)に出展し、同社のGaN on Siウエハー(Siウエハー上にGaNを結晶成長させたもの)や、GaN FET「G-FET」を紹介した。 GaN FETについては、まずは耐圧650V品を2016年中にサンプル出荷する。次のステップとして1200V品の開発も進めている。1200Vの耐圧を持つ次世代パワーデバイスは現