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Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
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Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁... Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。 Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。これにより、量産向けとして技術を適用する準備が整ったことになる。組み込みMRAMは、IoT(モノのインターネット)デバイスなどの用途向けとして有望視されている技術だ。 Intelは、2019年2月17日~21日(米国時間)に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された半導体集積回路技術の国際会議「ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)2019」において論文を発表し、「1T