MIT、シリコンより優れた「理想的な半導体」を発見 - fabcross for エンジニア

立方晶砒化ホウ素（c-BAs）は、これまで発見された最高の理想的な半導体材料であり、大きな可能性を秘めている。/Credits:Image: Christine Daniloff, MIT MITとヒューストン大学などの共同研究チームは、立方晶ヒ化ホウ素（c-BAs）が、微細デバイスの放熱性に有効な高い熱伝導度を有するとともに、電子輸送と正孔輸送の両方を兼ね備える高い両極性移動度を発揮することを実験的に示した。高純度処理されたc-BAs単結晶の局所的な測定により、シリコン（Si）を超える高い熱伝導度と両極性移動度を持つことを実験的に確認したもので、Siを超える理想的な半導体として広汎な応用が期待できる可能性がある。MITとヒューストン大学、テキサス大学オースティン校、ボストンカレッジの共同研究チームによる論文が、2022年7月21日に『Science』誌に公開されている。 Siは地球上にあ

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“熱伝導率はSiの約10倍であり、電気自動車用パワーエレクトロニクスにおいてSiを代替しつつある炭化ケイ素（SiC）半導体の熱伝導度がSiの3倍であることを考えると、放熱性だけでも充分魅力的だ”

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ほう、そ（ホウ素）うか