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マルチゲート素子 - Wikipedia
マルチゲート素子（マルチゲートそし、英: multigate device、multiple gate field effect transistor、... マルチゲート素子（マルチゲートそし、英: multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET）とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。 マルチゲートは、電気的には単一ゲートのように振舞う複数のゲート面が単一ゲート電極として制御するものや、個別のゲート電極として制御を行うものがある。 マルチゲート素子が持つ個別のゲート電極は、MIGFET[1]と呼ばれることがある。 多様なマルチゲート素子 Aは従来のプレナー型
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