舛岡富士雄 - Wikipedia

舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は、日本の電子工学研究者。フラッシュメモリの発明者として知られており、1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した[1]。1988年には、初期の非平面型3Dトランジスタ（英語版）である初のGate-all-around（英語版）（GAA）MOSFET（GAAFET（英語版））トランジスタも発明している。 元東芝社員。東北大学名誉教授。現在は日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者（CTO）として、Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。紫綬褒章、文化功労者、瑞宝重光章。 1943年 群馬県高崎市出身。 1962年 群馬県立高崎高等学校卒。 1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。西澤潤一に師事する。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士

[kiyo_hiko]

"1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術をサムスン電子に供与したが、サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで首位に"

[ngsw]

発明者に対してひどい仕打ちだ……

[secseek]

フラッシュメモリに昔から目を付けていて東芝は先見の明があるなあ、と思っていたのですが、実はダメダメだったみたいです。フラッシュメモリの発明者を自分から追い出すような形になっていたとは…。