CMOS発振器における挑戦 - 周波数ドリフトの最小化と高周波数安定性の達成

はじめに 高精度、低雑音、低消費電力のCMOS発振器は、全シリコンの周波数源ソリューションによって、周波数制御デバイスを最もコストの低い構成に移行することを可能にする。CMOS発振器における技術的なチャレンジは、周波数ドリフトを最小化し、高い周波数安定性を達成することである。 CMOS発振器の周波数ドリフト CMOS LC発振器((LCO)の共振周波数は、 である。ただし、Lは共振回路のインダクタンス、Cは共振回路の静電容量である。 実際の共振周波数は、コイルとコンデンサ双方の抵抗成分による損失があるため、 RL(T)は、温度要因による、負方向かつ下に凹の周波数ドリフトを引き起こす。 設計手法 抵抗成分RCを共振回路の静電容量Cに意図的に付加すれば、コイルの抵抗成分RLによる周波数ドリフトを打ち消すことができる。この視点は、コイルの温度による周波数ドリフトを補償するために損失のある静電容量