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超低熱抵抗のSiCパワー半導体がスゴイ。阪大などが独自の銀焼結接合技術で開発 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
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大阪大学産業科学研究所フレキシブル3D(F3D)実装協働研究所の陳伝彤(トウ)特任准教授らとヤマ... 大阪大学産業科学研究所フレキシブル3D(F3D)実装協働研究所の陳伝彤(トウ)特任准教授らとヤマト科学(東京都中央区、森川智社長)は、独自開発した銀焼結接合技術により、超低熱抵抗の炭化ケイ素(SiC)のパワーモジュールを開発した。接合部の温度が従来のハンダ接合の270度Cから180度Cに低下した。自動車やIoT(モノのインターネット)デバイスなど、高耐熱性と高信頼性が必要な分野での応用が期待される。 SiCと絶縁基板、アルミニウムのヒートシンクを低温低圧の銀焼結で直接接合した。従来、ハンダ接合で必要だったアルミニウム表面のニッケルなどの薄膜が不要になった。熱抵抗が約半分になり放熱を阻害せず、製造コストも低減できる。ヒートシンクなど加圧する接合が使えない複雑形状でも大面積接合ができる。高出力密度と小型・軽量化がしやすい。 SiC半導体は250度C以上の高温でも動作でき、エネルギー損失が小さく