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次世代パワー半導体「GaN」高品質化、豊田合成が製造技術開発 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
豊田合成は次世代のパワー半導体とされる窒化ガリウム(GaN)パワー半導体について、高品質な製造技... 豊田合成は次世代のパワー半導体とされる窒化ガリウム(GaN)パワー半導体について、高品質な製造技術の開発に着手する。2024年度末にGaN結晶の大型育成炉を増設し、生産能力を現在比で最大10倍程度に拡大。高品質で大口径のGaN基板を安定して製造できる体制を確立する。高効率と高速スイッチングを実現できる同半導体は電動車用モーターやデータセンターなどでの利用が期待されており、同社は脱炭素社会の実現に貢献する。 GaN結晶の育成炉は豊田合成の美和技術センター(愛知県あま市)に1台増設し計2台体制にする。新たな育成炉は一度に複数枚の結晶の育成が可能。これにより量産化を見据えた結晶の品質検証やデバイスの性能検証を加速する。 同社と大阪大学は、ナトリウムとガリウムを混合した金属溶液に高圧で窒素を注入しGaNを合成する「Naフラックス法」を活用し、大型GaN結晶の成長技術の確立に取り組んでいる。現在は6
2024/05/31 リンク