半導体のシリコンウエハについて

まず、高純度低欠陥密度の単結晶をつくる都合上、最初にできる結晶は、円柱状になります。もちろん、ここから四角形のウェハを切り出してもいいのですが、そうすると、円に内接する四角形の部分だけを使うことになり、その外は捨ててしまうことになります。 円に内接する四角形の最大面積は、円の64％程度ですから、単純に言っても四角形にすることで1/3程度を捨ててしまうことになります。単結晶製造コストは非常に高いので、これは無視できません。 一方、四角形にするメリットですが、実はあまりありません。チップは確かに四角形ですが、その大きさはチップの種類にもよりますが、200mmや300mmといった現在主流のウェハよりもかなり小さいものです。もともとのウェハの形状が円であっても、内接する四角形を切り抜いた外側の部分にも十分チップを敷き詰めることができます。したがって、同じ直径のインゴッドから切り取った円形のウェハと

[sisya]

言われてみればその通りだという学び。

[kagawa3]

「シリコンウエハはなぜ丸い形をしているのでしょうか？」