【IEDM 2007レポート】次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向

相変化型メモリ(phase change memory)の記憶素子を製造する工程。図中にGSTとあるのがカルコゲナイドのGeSbTe合金で、結晶状態とアモルファス状態を行き来する。GSTの上下は電流を加えるための電極。この写真はIEDM 2007の論文資料から抜粋した 会期：12月10～12日(現地時間) 会場：米国ワシントンD.C. Hilton Washington and Towers 半導体メモリでは1個のメモリセルに通常、2個の値を記憶する。論理レベルの高レベルあるいは低レベル、データ値の1あるいは0に相当する。言い換えると、1個のメモリセルに1bitのデータを記憶していることになる。 マルチレベルとは、1個のメモリセルに3個以上のレベルを記憶させることを意味する。例えば4個のレベルを記憶させれば、1個のメモリセルに2bitのデータを蓄えることになる。当然ながら1bitを記憶する

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最近の flash 容量急増を支える技術。