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産総研:TIAパワーエレクトロニクス研究拠点 6インチ SiC 新ラインが稼働開始
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産総研:TIAパワーエレクトロニクス研究拠点 6インチ SiC 新ラインが稼働開始
TIAパワーエレクトロニクス研究拠点に平成27年11月より構築を進めていた、シリコンカーバイド(SiC)パ... TIAパワーエレクトロニクス研究拠点に平成27年11月より構築を進めていた、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイスの量産開発を可能とする新ラインが完成し、稼働を開始しました。6インチ級の大型ウエハーのプロセスを実現したオープンイノベーション拠点としては、世界初となります。 このラインは、国立研究開発法人 産業技術総合研究所(以下「産総研」という)と住友電気工業株式会社(以下「住友電工」という)の両者が相互に連携し竣工しました。基礎研究から一歩進め、世界最先端・最速のSiCパワー半導体の量産技術、信頼性評価技術、品質評価技術の開発を可能とするもので、SiCパワー半導体の実用化・本格普及による社会イノベーションの推進が期待されます。 当該新ラインを用い、産総研と住友電工は、将来にわたってトップレベルの研究開発を行って参ります。加えて、「TIAパワーエレクトロニクス研究拠点」の最先端ラ