産総研：GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証

GaNトランジスタとSiCダイオードのモノリシック化に成功 回路異常動作時に起こるGaNトランジスタ耐圧破壊の問題を解決 モーター駆動や太陽光発電用パワーコンディショナーなどへの応用に期待 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム 中島 昭 主任研究員、原田 信介 研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に世界で初めて成功した。GaNとSiCのデバイス試作を両立できる独自の一貫製造プロセスラインの構築によって、ハイブリッド型トランジスタの実現に至った。試作したハイブリッド型トランジスタは、GaNの特長である低いオン抵抗およびSiC