フラッシュメモリー製品 耐久性・寿命の決定要因 産業用メモリー

NANDフラッシュベースのデバイスを組込みアプリケーション用の記憶媒体として評価する場合、通常、ホストインタフェース、消費電力、物理空間、性能、容量、環境、コストなどの要因によって選択が行われます。 耐久性の仕様はこの際の検討の主要項目であり、以下で私たちが説明するように、生のフラッシュダイの書込み/消去（P / E）サイクル評価は、パズルの1つに過ぎません。 デバイスの書き込み方法（コントローラテクノロジとアプリケーションのワークロードの両方）は、TBWとドライブの寿命に大きな影響を与えます。 ドライブTBW（TeraBytes Written）と耐用年数に影響を及ぼす第一の要素は、RAWフラッシュの耐久性、すなわち何度ブロックに対して確実に書き込み、消去を行うことが出来るかということです。 NANDフラッシュは大別するとSingle-Levelセル（SLC）、Multi-Level（M

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“SLC, MLC, PseudoSLC, TLC ” 疑似 SLC