東芝、フラッシュメモリの速度を2倍に

東芝は11月21日、2006年にNAND型フラッシュメモリチップの読み込み・書き込み速度を2倍にする計画を明らかにした。 NAND型フラッシュメモリは、デジカメや音楽プレーヤー、メモリカードなどのデバイス向けの基本的なストレージとして利用されている。チップが高速なほど、コンピュータとデバイス間のデータ転送も速くなる。 現時点では、東芝のフラッシュチップの読み込み・書き込み速度は6Mバイト/秒だが、2006年に新しい製造ラインで生産を開始する時には12Mバイト/秒になると同社の広報担当ヒロコ・モチダ氏は語る。 同社は現在、ほとんどのNAND型フラッシュチップを90ナノメートルプロセス製造ラインで生産しているが、2006年には最新の52ナノメートルプロセスでの製造を開始する。 52ナノメートルプロセスで製造される最初のフラッシュチップの容量は16Gビット（2Gバイト）になるという。 フラッシュ