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NEC、温度無依存で高オンオフ比動作するシリコン集積光スイッチを開発(2012年3月6日): プレスリリース | NEC
NECは、シリコン光集積回路技術を利用して、高いオンオフ比（消光比）と環境温度に依存しない特性を有す... NECは、シリコン光集積回路技術を利用して、高いオンオフ比（消光比）と環境温度に依存しない特性を有する光スイッチを開発しました。 このたび開発した光スイッチは、LSI製造向け標準CMOSプロセスを活用して形成したシリコン光導波路をベースに、ヒータによる局所加熱で光路を制御する微小な素子152個を集積化し、入射8ポート／出射8ポートの間の光経路を自由に設定する機能を16mm×12mmのチップ上で実現したものです。 本光スイッチは、高密度に多数の素子が集積できるシリコン光集積回路技術を活かし、経路切り替えを行うセレクタ素子と通過／遮断を行うゲート素子を組み合わせ、高いオンオフ比と、設置される環境温度に依存しない性質を実現しています。これらの性質と、従来開発した偏光無依存および光結合部分における低損失の特性を組み合わせることで、世界で初めて、次世代光ネットワーク装置に要求される性能を実現した光ス
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2012/03/06 リンク