次世代不揮発性メモリ「スピン注入メモリ」(STT-RAM) 、出荷開始 | 財経新聞

ymitsu 曰く、 Everspin Technologies は 11 月 12 日、次世代不揮発性メモリの有力候補とされるスピン注入メモリ (STT-RAM) のサンプルを一部顧客に出荷中であると発表した (Impress PC Watch の記事、日本国内代理店の東京エレクトロンデバイスのプレスリリースより) 。 STT-RAM とは、磁気モーメントの方向の違いでデータを記憶する MRAM を、電子のスピンを利用して大容量化したもので、いわば第二世代の MRAM にあたる。MRAM 自体は既に実用化されているが、SRAM 互換のインターフェイスを採用していた従来の MRAM とは異なり、今回 Everspin 社が出荷した STT-RAM では、DDR3 SDRAM と互換のインターフェイスが採用されている。つまり、明確に DRAM の置き換えを狙ってきたと言える。 今回製品化され