台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は300mmウエハー・サイズの薄型ガラス・インターポーザについて「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）で発表した（講演番号13.4）。タイトルは「300mm Size Ultra-thin Glass Interposer Technology and High-Q Embedded Helical Inductor (EHI) for Mobile Application」。 微細化が困難になっている現在、Siインターポーザ上に複数のチップを集積する2.5次元（2.5D）IC技術の重要性が高まっている。しかし、Siインターポーザは高価なため、現状では適用範囲がハイエンドの

東北大学と神戸大学、ルネサス エレクトロニクス、NECの研究グループは、「MWE（Microwave Workshop & Exhibition） 2013」（2013年11月27～29日、横浜市）に、「第4世代移動体通信向けRFICチップレベルノイズ対策技術」を出展した。移動通信のRFトランシーバICとして動作するテスト・チップの上に磁性薄膜を形成し、そのチップを使って移動通信のシミュレーションを実施。磁性薄膜を形成しない場合に比べて、帯域内の高調波スプリアス（不要信号成分）を約10dB抑制できる様子を見せた。

名古屋大学(名大)は、カーボンナノチューブ(CNT)のみでトランジスタや配線を構成した「全カーボン集積回路」を実現したと発表した。 同成果は、同大の大野雄高 准教授らとフィンランドのアールト大学のエスコ・カウピネン教授らによるもの。詳細は、英国の科学雑誌「Nature Communications」に掲載された。 これまで研究グループは、CNTを用いた集積回路の研究として、透明なプラスチック上に高性能なCNT薄膜トランジスタや、それを用いた集積回路などを実現してきたほか、より高い柔軟性や伸縮性を実現することを目指して、配線材料や絶縁膜材料の探索なども行ってきた。 今回の研究では、電極・配線材料いもCNT薄膜を用い、また絶縁膜材料にアクリル樹脂を用いることで、柔軟で透明な全カーボン集積回路を実現したほか、全カーボン集積回路が立体形状に熱成型可能であることを確認したという。 具体的に実現された

米国ニューヨーク州にあるRensselaer Polytechnic Institute（Rensselaer工科大学）は，同大学の研究者が，水を用いてグラフェンにバンドギャップを持たせることに成功したと発表した。

九州工業大学 有機エレクトロニクス研究グループ（KORG）は，大気中での安定性が高いn型有機半導体を開発した。製造プロセスも簡便で，しかも室温で進められるという。

米IBM T.J. Watson Research Centerは，直径が最小3nmのSiナノワイヤFETを利用した25段のCMOSリング・オシレータを試作し，実際に動作することを確認したと，半導体製造技術関連の国際会議「2010 Symposium on VLSI Technology」で発表した（論文番号2.3）。

米IBM Corp.の科学者が世界最小の3次元世界地図を製作した。世界地図の寸法は22μm×11μmで，高さ8nmの地点が標高1000mに相当する3次元構造になっているという。 AFM（原子間力顕微鏡）のSi探針を加熱しながらレジストに押し当てることで，フライス盤のようにレジストを局所的に分解・除去し，3次元的な構造を形成した。解像度15nmの密集配線パターンを形成することにも成功しており，次世代の半導体リソグラフィ技術として利用できる可能性もあるという。 世界地図の製作には「polyphthalaldehyde」と呼ぶポリマー・レジストを利用した。このほか，分子ガラス・レジストを使い，マッターホルンの微小3次元レプリカも製作している。標高4478mのマッターホルンを高さ25nmに縮小した。 なお，世界地図の成果は雑誌「Advanced Materials」，マッターホルンの結果は「Sci

大きな注目を集めていた米Plastic Logic社の世界初の有機TFT駆動の電子書籍端末の出荷が2010年夏に延期されたそうである（Tech-On！関連記事1）。FPDの新たな可能性を切り開く商品として期待していたので大変残念だが，正直なところやはり有機TFTの本格量産には時期尚早だったのではないだろうか。なぜ有機TFTが必要なのか。本当に有機TFTでなければならないのだろうか。そう考えると様々な疑問がわいてくる。 Plastic Logic社は，2009年6月に開催されたディスプレイ分野最大の学会「SID」で基調講演している。その発表資料によると，同社の製造プロセスでは安価なPET（polyethylene terephthalate）基板が使用可能であり，標準的なFPD生産設備を用いたプリンティング・プロセスで有機TFTアレイを製造できるという。ひずみ補正技術により大型化も可能だと主

「次世代半導体パッケージのマイクロ・ナノファブリケーション技術」と題した公開研究会が2009年12月16日に東京で開催された（エレクトロニクス実装学会 配線板製造技術委員会に属する，マイクロ・ナノファブリケーション研究会が開催）。

富士通研究所（本社川崎市）は，カーボン・ナノチューブを増幅器のトランジスタ放熱素材として使用し，高周波・高出力（100Wクラス）のフリップチップ増幅器を動作させることに世界で初めて成功した。高周波特性に優れたフリップチップ構造（図1）用いて，熱出力源であるトランジスタチップの両面から放熱を行う「ダブル放熱」技術を開発した。2011年以降に立ち上がることが予想される第4世代移動通信システム向けの携帯電話基地局への適用を加速する。

ドイツFraunhofer Institute for Solar Energy Systems（ISE）は，n型半導体を基板とし，その上に薄いp型半導体層を形成した単結晶Si太陽電池で，エネルギー変換効率23.4％を確認したと発表した。セル面積は2cm角である。Fraunhofer ISEは量産も可能としており，三洋電機などがけん引する結晶Si系太陽電池の高効率化競争に名乗りを上げた格好だ（関連記事）。 n型半導体を基板とする構造の結晶Si系太陽電池は，p型を基板とする構造に比べて不純物への耐性が大きく，理論的にはエネルギー変換効率を上げやすい。ところが，これまでの多くの結晶Si系太陽電池では，p型を基板とする構造のものがほとんどだった。具体的には，厚いp型半導体の上に非常に薄いn型半導体層を形成していたのである。 理由の一つは封止層材料にある。Fraunhofer ISEによれば，封止

産業技術総合研究所は，ダイヤモンドを半導体として利用する深紫外LEDを開発した。発光波長は235nmの深紫外線。出力は，320mAの電流を注入時に30μWである。

非導電性の炭素材料でメモリを構成。（a）がメモリ・セルの断面図。（b）がメモリ全体の写真。（c）は，電極パッドの例 ドイツQimonda AGは，IEDM 2008で炭素から成る素子に電流を流して状態を切り替えることで，メモリとして利用する技術の詳細について発表した（IEDMのプレビュー記事）。それによれば，ダイヤモンドなど非導電性の炭素材料をベースに素子を作製するのが最も有望だと分かったという。 同技術は，カーボン・ナノチューブ（CNT）やダイヤモンドなどの炭素の素子に電流をパルス状に流して状態を切り替えることで，電気抵抗を大きく変化させ，不揮発性メモリとして利用することを目指したもの。こうした炭素の素子がパルス状のレーザの照射で状態を変えることは最近の研究で知られていた。今回はそれが電流パルスでも機能することを確認した。 具体的には，非導電性であるダイヤモンドの微細な粒子から成る層を8

旭硝子は，半導体の製造工程における再配線層向けに感光性絶縁膜「ALポリマーX2000シリーズ」を新たに開発した。熱特性や電気特性，機械的特性をバランスよく実現することで使いやすさを高めたという。パッシベーション絶縁膜として使い，この膜の上に再配線を行って電極を設置するといった用途に向ける。

38％まで伸ばしても導電率に変化なし（赤線）。導電率は，従来の導電性ゴムより約3ケタ高い。ただし，金属よりは4ケタ小さい。 東京大学 工学系研究科 准教授の染谷隆夫氏の研究グループは，「伸び縮み可能でしかも導電性が高い新物質を世界で初めて開発した」と発表した。これにより，有機トランジスタを用いた大面積の電子回路を自由曲面に張ることが可能になり，有機トランジスタの用途が大きく広がるとする。しかも，「伸縮性を持つことで，曲げることへの機械的な耐性が大きく向上する」（染谷氏）という。論文は米Science誌の2008年8月7日付け速報版「Science Express」に掲載された。 この物質は，単層カーボン・ナノチューブ（SWNT），イオン性液体，弾性のある樹脂などから成る物質で黒いゴム状をしている。導電率は57S/cmで，市販の導電性ゴムの0.1S/cmに比べてはるかに高い。しかも，この導電