グラフェンに勝る!? 新二次元材料でトランジスタ:LSIの低消費電力と高速動作を両立(1/2 ページ) 東京工業大学(東工大)の宮本恭幸教授らによる共同研究チームは、新しい二次元材料である二硫化ハフニウムを用いたMOSトランジスタを開発した。二硫化ハフニウムが、電子デバイスを高速かつ低消費電力で動作させることが可能な新材料であることを示した。 東京工業大学(東工大)工学院電気電子系の宮本恭幸教授らと理化学研究所、岡山大学による共同研究チームは2016年4月、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスタを開発したと発表した。HfS2は、従来の二次元材料に比べて、電子デバイスを高速かつ低消費電力で動作させることが可能な新材料であることを示した。 二硫化ハフニウム HfS2は、遷移金属ダイカルコゲナイドと呼ばれる二次元結晶群に属する材料である。理論計算値では、単原