産総研、MRAMの3次元積層に成功。MRAMの大容量化や生産性向上に道筋
MRAMは大容量化の正念場、NANDの死角狙うReRAM
不揮発性の新型メモリーはそれぞれ普及に向けた壁を乗り越えなければならない。開発メーカーが急増するSTT-MRAMは、DRAM代替を進めるには大容量化という最後の関門がある。ReRAMの最大の課題は市場の立ち上げ。NANDフラッシュメモリーとの直接対決を避ける戦略が成功のカギを握りそうだ。 STT-MRAMやReRAMといった新型不揮発性メモリーは、各種のコンピューターシステムを大きく変える潜在力を備えている。そのインパクトは大きく2つ。（1）電源を入れた瞬間に起動し、いつでも電源をオフにできる、（2）消費電力が大きく減るの2点である。 既にSSDには不揮発性のNANDフラッシュメモリーが用いられているが、ストレージだけが不揮発でも（1）の効果は薄く、（2）もHDDとの差を示せなかった注1、2）。新しい不揮発性メモリーは（1）と（2）を機器の大きな売り物にできる注3）。 注1）SSDを使うと
東芝、STT-MRAMだけで演算と記憶を行うコンピューティング・アーキテクチャを提案
東芝はSTT-MRAMだけで演算と記憶を行う新しいコンピューティング・アーキテクチャを「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）で発表した（講演番号25.4）。タイトルは「Variable Nonvolatile Memory Arrays for Adaptive Computing Systems」。 現在、多くのコンピューティング・アーキテクチャでは演算を行うCPUとデータを記憶するメモリが分離されており、メモリ自体もレジスタ・ファイル、1次キャッシュ、2次キャッシュと階層化されている。しかし、最近ではシステムの性能や消費電力を改善する上でCPU－メモリ間のデータ転送がボトルネックになりつつある。そこで、東芝はメモリそのものに演算機能を持たせ、しかも一つのメモリでレジスタ・
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