杉本 りうこ / 米中対立で今や「硝煙なき戦場」と化したハイテクセクター。アメリカや日本の安全保障を考慮した産業政策が、企業経営のチャンスにもリスクにもなっている。そこには当然、世界中の投資家の熱い視線も注がれる。本連
半導体といえば、マイコン(CPU)やメモリなどのLSIがよく知られていますが、これらは「演算」や「記憶」などの働きをする半導体です。これに対しパワー半導体は、交流を直流にする、電圧を5Vや3Vに降圧するなどし、モータを駆動したり、バッテリ充電したり、あるいはマイコンやLSIを動作させるなど、電源(電力)の制御や供給を行う半導体をいいます。 電気は水と同じで、位置の高いほう(+)から低いほう(-)へ流れる性質があります。 たとえば、 右図のように電線を2本用意し、途中に「ダイオード」と「電球」を入れ、電池につなぎます。(1)の場合は電気が流れ、電球が点きますが、(2)は電気が流れません。これは、「ダイオード」が水道の「弁」のような働きをし、電気を一方向にしか流さないように制御する(一方通行にする)半導体だからです。 実際の役目は、交流を直流にする「整流」という作用をします。これを目的としたダ
トランジスターの種類について述べ、個々のトランジスターの動作や性質を説明します。 以下の内容が含まれます トランジスターの種類 バイポーラートランジスター 抵抗内蔵型トランジスター JFET MOSFET BJTとMOSFETの動作 MOSFETの構造と動作 MOSFET:RDS(ON)の決定要因 MOSFET:低RDS(ON)化 Super Junction MOSFET MOSFETの構造別特長 MOSFET:ドレイン電流と許容損失 MOSFET:アバランシェ耐量 MOSFET:容量特性 MOSFET:安全動作領域(SOA) IGBT IGBTの動作 IGBT:縦方向デザインの進化 RC-IGBT/IEGTとは IGBTの応用機器 IGBTとMOSFETの比較 各トランジスターの比較まとめ MOSFET:最大定格 MOSFET:電気的特性 MOSFET:容量・スイッチング特性 MOSF
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