ディスクリート半導体の基礎 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本トランジスターの種類について述べ、個々のトランジスターの動作や性質を説明します。 以下の内容が含まれます トランジスターの種類 バイポーラートランジスター 抵抗内蔵型トランジスター JFET MOSFET BJTとMOSFETの動作 MOSFETの構造と動作 MOSFET：RDS(ON)の決定要因 MOSFET：低RDS(ON)化 Super Junction MOSFET MOSFETの構造別特長 MOSFET：ドレイン電流と許容損失 MOSFET：アバランシェ耐量 MOSFET：容量特性 MOSFET：安全動作領域(SOA) IGBT IGBTの動作 IGBT：縦方向デザインの進化 RC-IGBT/IEGTとは IGBTの応用機器 IGBTとMOSFETの比較 各トランジスターの比較まとめ MOSFET：最大定格 MOSFET：電気的特性 MOSFET：容量・スイッチング特性 MOSF
