インテルが14nm世代の半導体工場をアリゾナに建設へ、50億米ドル以上を投資 | EE Times Japan

インテルは、50億米ドル以上を投資し、米国アリゾナ州チャンドラーの同社の拠点に新しい半導体製造施設を建設する計画だ（図1）。2011年2月18日（米国時間）に発表した。同社は近年、製造施設の拡大を積極的に進めている。 新たに建造する施設は「Fab 42」と呼ばれ、当初は300mmウエハー工場として稼働するが、今後450mmウエハーへの対応準備が整えば、450mmウエハーにも対応することが可能だという。Fab 42は、14nm世代もしくはそれ以降の世代のプロセス技術を適用してウエハーを加工する。インテルは、Fab 42が「世界で最も先進的なファブになる」と述べている。Fab 42は2011年半ばに着工し、2013年に完成する予定だと言う。 同社のシニアバイスプレジデントで製造・サプライチェーン担当ゼネラルマネジャーを務めるBrian Krzanich氏は、発表資料の中で、「Fab 42への投

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ついに14nmかぁ。