エントリーの編集
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
記事へのコメント0件
- 注目コメント
- 新着コメント
このエントリーにコメントしてみましょう。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
メモリのCL2.5とCL3
CL=CAS Latency(キャス・レイテンシ) (column address strobe latency) 極々簡単に言うと、メモリに... CL=CAS Latency(キャス・レイテンシ) (column address strobe latency) 極々簡単に言うと、メモリにデータを出すように命令して、実際に出てくるまでの時間。 当然短い方(数値が小さい方)が高性能ということになる。 速度の速いほうが高額。 ベンチマークテストなどをすれば実感できるかもしれませんが、普通の使い方で差を体感する事は出来ない程度の差です。 既出ですがPC3200(DDR400)はPC2100や2700と比べてCL値を小さくするのが技術的に難しいメモリです。 (ただでさえ速度が上がりすぎているため) SamsungでもCL値は3程度に停めているはずです。 OSインストール時にデバイスエラーでセットアップが中断してしまうとか、メモリエラーでアプリケーションがストップするとかはメモリのCL値が速過ぎる事が原因である場合があります。 次期規格のDDR