富士通研、電源装置向けGaN HEMTを開発 - PCなどの電源の小型化が可能に | エンタープライズ | マイコミジャーナル

富士通研究所は6月23日(米国時間)、米国ペンシルバニア州立大学にて開催されている国際会議「DRC(Device Research Conference) 2009」において、新構造のGaN HEMTの開発に成功したことを明らかにした。これに併せて、同社は都内で記者説明会を開催、同技術の解説を行った。 富士通研究所 取締役 基盤技術研究所長の矢野映氏 今回の成果は、富士通がグループで進めているプロジェクト「Green Policy Innovation」の一環として行ってきた、省エネ化に向けた研究開発の成果の1つ。富士通研究所の取締役 基盤技術研究所長の矢野映氏は、「CO2の排出量が現在の3.3%/年で増え続ければ、2050年までに地球上のCO2量は現在の2倍に到達することが予想され、洞爺湖サミットで排出量を2050年までに現在の半分に収めることが合意された。富士通としても、グループで、デ

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