TSV用いた16段積層NANDを開発――東芝「世界初」

TSV用いた16段積層NANDを開発――東芝「世界初」：256GB容量、11日から米国で試作品を展示へ 東芝は2015年8月6日、TSV（Through Silicon Via/シリコン貫通ビア）技術を用いてNAND型フラッシュメモリチップを積層した試作品を開発したと発表した。 消費電力は半減へ 東芝は2015年8月6日、TSV（Through Silicon Via/シリコン貫通ビア）技術を用いて最大16段にメモリダイを積層したNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。東芝では、TSV技術を用いたNANDフラッシュの開発は「世界で初めて」としている。 開発したNANDメモリは、同社の第2世代19nmプロセスで製造したプレーナ型メモリセル構造のNANDメモリダイをTSV技術により、最大16段積層したもの。TSV技術の採用により、従来のワイヤーボンディングでダイを積層したNANDメモリ

[qtamaki]

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[theatrical]

東芝は、粉飾決算が出てから急に技術的成果が発表されまくってる気がする。穿った見方だけど、イメージ回復のために、当初の予定よりも発表を早めてるのかもしれない。