SK hynix、EUV露光による1αnm世代DRAM量産を開始

同社は、既に1ynm世代のDRAM生産でEUV装置を一部導入しており、「最先端のリソグラフィ技術の安定性を証明した後、初めてEUV装置を量産に採用した。プロセスの安定性が証明されたことから、今後、1αnmのDRAM生産には全てEUV技術を使用する予定だ」と説明している。なお、2020年10月に発表したDDR5 DRAMには、2022年初頭から1αnmプロセスを適用する予定という。 1αnm世代は、前世代（1znm世代）と比較して、同サイズのウエハーから生産されるDRAMチップの数を約25％増加させることができるといい、SK hynixは、「この1αnm DRAMが、世界的なDRAM需要の増加に伴う、世界市場の需給状況の緩和にも貢献するものと期待している」と述べている。 関連記事 Intelがファウンドリー事業を発表、工場にも大規模投資 Intelは2021年3月23日（米国時間）、新CEO