インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか？ 新不揮発性メモリ「3D XPoint」がブレイクするための条件とは | JBpress (ジェイビープレス)

謎のメモリ「3D XPoint」（スリーディー・クロスポイント） ここ数週間、半導体業界人が寄ると触ると噂話をするホットな話題がある。それは、7月末に、米インテルと米マイクロンが、「1989年のNANDフラッシュメモリ以来のブレイクスルー」と大々的に発表した不揮発性メモリ「3D XPoint」についてである。 両社によれば、その特徴は以下の通りである。 （1）アクセス時間はNANDの1000倍（数十ナノ秒） （2）書き換え可能回数もNANDの1000倍（約10の8乗回） （3）メモリセル密度はDRAMの10倍（128ギガビット） また、3D XPointの構造は図1のような2階建てとなっており、ワード線とビット線が交差する部分に「セレクタ」および「メモリセル」からなる柱をつくる。セレクタに印加する電圧によりメモリセルへの書き出しと読出しを行うため、トランジスタは不要となる。その結果、メモリ

[satomi_hanten]

カーネルに大きく手を入れない前提だとインメモリDBぐらいしか市場とか思いつかない。

[u-chan]

途中で誰が書いてるかわかった。確かに量産化すればイノベーションになるね。