半導体基板にレーザー加工のみで極微細の穴を開ける技術を開発

東京大学は2024年5月31日、半導体チップとプリント配線基板を電子接続する中間的な基板「パッケージ基板」に、極微細の穴を開ける加工技術を開発したと発表した。同大学が産学官協創の場として設立した「TACMIコンソーシアム」において、味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスと共同で開発した技術だ。 同加工技術では、ガラス基板上の絶縁層に、レーザー加工のみで直径3μmの穴を作成できる。 まず、東京大学がガラス基板上に銅を蒸着し、レーザー加工でパターン状に削り取った微細な銅の配線を作成。この上に、味の素ファインテクノが半導体向け層間絶縁体「味の素ビルドアップフィルム（ABF）」を3μmの厚さに積層した。穿孔に用いる波長266nmの深紫外（DUV）高出力レーザーはスペクトロニクスが担当し、三菱電機がレーザー加工機の集光サイズを改良して、従来よりも小さくした。 東京大学によるAI（人工知能）