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擬一次元ファンデルワールス物質の大面積な薄膜を製造する新しい手法を開発
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東北大学と慶應義塾大学は、ジルコニウムテルライドを用いて、大面積な薄膜を製造する新しい手法を開発... 東北大学と慶應義塾大学は、ジルコニウムテルライドを用いて、大面積な薄膜を製造する新しい手法を開発した。「擬一次元ファンデルワールス物質」の1つで、半導体デバイスへの応用が注目される。 東北大学と慶應義塾大学は2024年6月20日、ジルコニウムテルライド(ZrTe5)を用いて、大面積な薄膜を製造する新しい手法を開発したと発表した。ZrTe5は一次元原子鎖が弱い分子間力でつながる「擬一次元ファンデルワールス物質(quasi1D-vdW)」の1つで、量子効果の増幅や高い熱電性能などの特性から半導体デバイスへの応用が注目されている。 この手法は、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の大面積成膜で用いられる二段階プロセス技術を活用している。まず、物理蒸着法(PVD)プロセスであるスパッタリング法により、アモルファス薄膜を作成。これに熱処理を施し、結晶化させることで規則的に配列した二次元層状物質を成膜