トヨタ系が「パワー半導体」で攻勢、GaN種結晶を量産試作（ニュースイッチ） - Yahoo!ニュース

豊田合成は窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の市場形成に向け、GaNの種結晶（種となる小さな単結晶）の量産試作を始める。社内の大型炉で高品質GaN結晶の成長を実現しており、6インチや8インチの大口径化と試作のための量の確保を急ぐ。GaNパワー半導体は自動車の電動化やカーボンニュートラル（温室効果ガス排出量実質ゼロ）に欠かせない次世代技術。同社は100キロ―1メガワット（メガは100万）の出力と1メガヘルツの動作周波数を実現するGaNデバイスの開発を目指す。 パワー半導体は電力の制御などを担い、その中でGaNはシリコンや炭化ケイ素（SiC）を利用した半導体に比べ対応できるエネルギー量（バンドギャップエネルギー）が大きく、高電圧に対する耐性が高い。 また一般的に、電力は直流から交流に変換するたびに一部が熱として失われる。100ワットの電流を流した場合、既存のシリコンでは95ワットに低減するがG

[prna79]

“豊田合成は窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の市場形成に向け、GaNの種結晶（種となる小さな単結晶）の量産試作を始める。”