次世代メモリー開発、経産省・NEDOがAI対応・データ高速処理を後押し ニュースイッチ by 日刊工業新聞社

経済産業省と新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）は、速度などでＤＲＡＭとＮＡＮＤの中間の性質を持つ次世代メモリーの製造技術開発を支援する。記憶装置（メモリー）と処理装置（中央演算処理装置〈ＣＰＵ〉など）の間のデータ転送を効率化する役割を担い、計算処理能力の向上や省電力化への貢献が見込まれる。人工知能（ＡＩ）の普及でデータ処理量が増大する中、課題解決のカギとなるメモリーの技術開発を後押しする。 ＮＥＤＯの助成事業で支援し採択事業者を９月めどに決める。開発期間は原則５年以内。初回ステージゲート審査までに上限１８０億円、開発費用の２分の１を助成する。読み出し速度が５０ナノ（ナノは１０億分の１）―１マイクロ秒（マイクロは１００万分の１）の間、メモリー密度は１平方ミリメートル当たり０・６ギガビット（ギガは１０億）以上。転送速度が毎秒４・８ギガビット以上と、ＤＲＡＭとＮＡＮＤの中間的な性能の