FETの電極としてアルミが使われることがあるようなのですが、このときシ - OKWAVE

使われることがあるどころか、少し前まではSi LSIの電極や配線にはアルミを使うのが当たり前でした。 金などの重い金属はSiに対して深い準位を作るので抵抗率が上がりますが、アルミは浅い準位しか作らず、導電率が高く、金などよりも安価だからです。 もちろん、Si内に拡散すればp型となります。 だからプロセス上は、余計な部分にAlが拡散しないよう、ことのほか気を使います。 (基板ばかりでなく装置内にもアルミのイオンや微粒子を付着させない、配線の下は絶縁膜を厚くして、アルミ蒸着後は高温処理をしない、など。) 尚、AlとSiを接触させただけでは、仕事関数の差によりショットキー接合となりますが、逆にオーミック接合としたいときは、熱処理によりAlを拡散させ合金化して、ショットキー障壁を崩します。 p型層に対しては、よりp型ドーパント濃度が高くなるので好都合です。 n型層に対しては、Siの場合どうするか知

[little_elephant]

原子レベルでAlとSiが侵食し合うと、界面がぼやけて、ショットキー障壁が破れる。マクロの操作（加熱）にて、マクロの作用（合金化）がおこり、マクロの特性（整流性）が消える。統計力学と量子力学が両方必要な話題