産総研：超高密度ハードディスク用の高性能TMR素子を開発

発表・掲載日：2006/05/09 超高密度ハードディスク用の高性能TMR素子を開発 －1平方インチ当たり500ギガビット以上の高密度記録に対応できる磁気ヘッド技術－ ポイント 次世代の超高密度ハードディスクには、低い素子抵抗と高い磁気抵抗比を兼ね備えた高性能な磁気ヘッドが不可欠であるが、その両立はこれまで困難だった。 酸化マグネシウム(MgO)を用いたTMR素子の作製法を改良し、非常に低い素子抵抗（1平方ミクロン当たり0.4Ω）と高い磁気抵抗比（57%）を併せ持つTMR素子の開発に成功した。 記録密度が現在の4倍以上（1平方インチ当たり500ギガビット以上）のハードディスクの高速再生が可能となり、MgOを用いたTMR磁気ヘッドが次世代技術の最有力候補となった。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 和田 敏美】とキ

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