産総研：イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示

イオン性分子塗布による簡便なグラフェンの電子物性制御方法を理論的に提示 優れた電気伝導特性を持つグラフェン半導体の設計に重要な知見 ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 大谷 実 研究グループ付と筑波大学 岡田 晋 准教授らは、イオン性分子を２層のグラフェン表面に吸着させることによりグラフェンを半導体化できることを理論的に提示しました。また、吸着させるイオン性分子の種類を制御することにより、半導体化された２層グラフェンの伝導特性を制御できる可能性があることを理論的に示しました。 グラフェンは炭素原子が蜂の巣状に６角形のネットワークを形成したシートで、原子１層からなる究極の薄さと、そのシート上に高移動度の電子が存在することから、世界的に注目されている新材料です。しかし、グラフェンを次世代半導体デバイスとして応用するためには、本質的に金属である電子状