エントリーの編集
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
記事へのコメント2件
- 注目コメント
- 新着コメント
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
IBMによれば、相変化メモリ(PCM:訳注)は飛躍的な進化を遂げ、コストはフラッシュに近づいたという。... IBMによれば、相変化メモリ(PCM:訳注)は飛躍的な進化を遂げ、コストはフラッシュに近づいたという。例えば、キャッシュやメモリとしてフラッシュやDRAMと併用することや、データベースのアクセスを高速化することも可能になる。 訳注:Phase Change Memory。相変化技術を利用した不揮発性メモリ。 2016年5月上旬にパリで開催された「IEEE International Memory Workshop」でこの飛躍的進化のデモが行われ、IBMはトリプルレベルセル(TLC)PCMをお披露目した。このPCMはセルごとに8レベルの抵抗を判別する。それにより、各セルが1/0ビットを3状態保持できる。 IBMの研究員エバンゲロス・エレフセリウ氏によれば、PCMは読み取り速度200~300ナノ秒、書き込み速度2~4マイクロ秒を実現するという。現在のフラッシュストレージの読み取り速度は数百マイ
2016/08/04 リンク