プレスリリース | “酸化ガリウム（Ga2O3）MOSトランジスタ”を世界で初めて実現！ | NICT-情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構（理事長：坂内 正夫）は、株式会社タムラ製作所（代表取締役社長：田村 直樹）、株式会社光波（代表取締役社長：中島 康裕）と共同で、新しいワイドギャップ半導体材料である酸化ガリウム(Ga2O3)を用いた実用性に優れたMOSトランジスタの開発に世界に先駆けて成功しました。 Ga2O3は、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス用途の新しい半導体材料として非常に有望です。また、酸化ガリウムは、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)といった既存のワイドギャップ半導体では不可能な融液成長法による単結晶基板の作製が可能であることから、基板サイズの拡大や、製造に必要なエネルギーやコストの大幅な削減が見込まれます。今回開発したGa2O3 MOSトランジスタは、そのまま実用可能といえる構造、特性を有します。そのため、現代の省エネルギ