高周波GaN次世代素子が存在感、旧来素子からの移行が本格化へ | EE Times Japan

GaN（窒化ガリウム）材料を使う高周波信号増幅用の大電力トランジスタの普及が、さまざまな分野で着実に進んでいる。かつては、防衛分野をはじめとした限られた領域でしか利用されていなかったが、近年になって航空管制用レーダー装置や衛星通信基地局、気象レーダー装置、医療機器などの分野でも採用が進み始めた（図1）。さらに、携帯電話の基地局にも、すでに数多くの搭載事例がある。 これらの分野では従来、マグネトロンやクライストロン、進行波管などの電子管や、GaAs(ガリウム・ヒ素)材料を使うFET、Si（シリコン）材料を使うLDMOS（Lateral Double-diffused MOS）トランジスタなどが使われていた。GaN高周波大電力トランジスタには、こうした旧来のデバイスに対してさまざまな優位性がある。ただし、価格の高さが大きな障壁となっていたため、採用に踏み切れる応用分野は限定的だった。 現在では