発光ダイオード | ＬＥＤ形式 | 電極

【課題】半導体膜の結晶成長に用いられる成長用基板とは別の支持基板を半導体膜に接合する工程を含む半導体素子の製造方法において、半導体素子を構成する各材料間の熱膨張率差に起因する上記の如きパターンずれの問題を解消し得る製造方法を提供する。 【解決手段】 成長用基板上に半導体膜を形成する。半導体膜上にｐ電極を形成する。成長用基板上又は半導体膜上に活性化接合層を形成する。支持基板上に共晶接合層および活性化接合層を形成する。成長用基板側および支持基板側の活性化接合層の表面を活性化する。活性化された活性化接合層同士を密着させてこれらの各層の間で表面活性化接合を形成する。共晶金属層に含まれる共晶材料が融解する温度で熱処理を行って、ｐ電極と共晶金属層との間で共晶接合を形成する。表面活性化接合は、共晶接合を形成するときの熱処理温度よりも低い温度下において形成される。 （もっと読む） 【課題】ｎ電極、ｐ電極の