産総研：未来の磁気メモリー材料開発につながる新たな電気分極成分を発見ビスマスフェライトという物質において磁場で制御できる新たな電気分極成分を発見し、この新しい成分が室温で示す不揮発性メモリー効果を観測しました。 ビスマスフェライトにおいてこれまで見つかっていなかった上記の性質を、瞬間的に発生可能な世界屈指のパルス強磁場を用いた精密実験で初めて明らかにしました。 磁場で電気分極成分を制御できる性質は、消費電力が少なく磁石を近づけても情報が消えない磁気メモリー材料といった応用技術の発展につながると期待されます。 コンピューターメモリーの高密度化は、これまでメモリーをより狭い領域に作り込む微細加工技術の進展に支えられてきましたが、その延長による高密度化はほぼ限界を迎えています。そこで原子レベルでメモリーとして機能する物質を開発することへの期待が高まっています。その有力な候補物質として磁性体であり強誘電体でもあるビスマスフェライトという物質が注目されてきました。
