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米HGST社は、相変化メモリー（phase change memory：PCM）とPCI Express（PCIe）インターフェースを用いたSSDを開発した。業界最速をうたい、ランダムリード性能は300万IOPS、ランダムリードのレイテンシは1.5μs。将来、データセンターなどで使われることを想定している。フラッシュメモリー関連の世界最大規模の学会・展示会である「2014 Flash Memory Summit」（2014年8月5～7日、サンラクララ）に出展し、技術デモを行う。
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【福田昭のセミコン業界最前線】 【IMW 2016】袋小路に追い込まれつつある次世代不揮発性メモリ
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相変化メモリーを使った業界最速のSSD、HGSTが開発
