ウィスコンシン大学、カーボンナノチューブを使用したトランジスタの開発に成功印刷する メールで送る テキスト HTML 電子書籍 PDF ダウンロード テキスト 電子書籍 PDF クリップした記事をMyページから読むことができます ムーアの法則が限界に近づき、従来からあるシリコン製のトランジスタをカーボンナノチューブ（CNT）製のトランジスタで置き換えることが不可避となりつつあるなか、ウィスコンシン大学マディソン校で材料工学を研究するチームが小さな、しかし確実な一歩を達成した。同チームは1インチ四方のウエハに複数のCNTを整列させ、シリコン製のトランジスタよりも高い性能を引き出すことに成功した。 今回製造されたCNTトランジスタ（quasi-ballistic carbon nanotube array transistors：準無散乱伝導CNTアレイトランジスタ）は、シリコン製のトランジスタに比べると1.9倍という電流密度耐性を示しており、単一ナノチューブでの性
