IBM、相変化メモリの開発成果を発表--DRAM並みの速度を低コストで実現IBMの研究者らが、相変化メモリ（PCM）の開発でブレークスルーを達成した。DRAM並みの速度と耐久性を有し、同程度の記録密度のフラッシュメモリに近い低価格で製造できるストレージ性能を実現したのだ。 同社の研究チームはスイスのチューリッヒで現地時間5月17日、PCMにセルあたり3ビットのデータを保持させることに成功し、セルあたり1ビットというこれまでの記録を塗り換えたと発表した。 PCMは現在利用可能なメモリに比べると、明らかな利点をいくつか有している。例を挙げると、電源をオフにしてもDRAMのようにデータが消えて無くなることはない。また、最大書き込み回数は少なくとも1000万回に及んでいる（一般的なUSBメモリはおよそ3000回）。 IBMは、PCM単独での利用にとどまらず、フラッシュストレージと組み合わせた利用も想定していると述べている。 PCMは、ガラスによく似た素材に流す電流の量を
